| CaCu2.7Ti4O12介电性能和J-E特征 |
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| 作者姓名： | 吴爽爽 莫兴婵 韦成峰 韦小圆 朱文凤 覃远东 刘来君 |
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| 作者单位： | 桂林理工大学材料科学与工程学院;先进半导体材料(深圳)有限公司;广西新未来科技股份有限公司 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51002036);广西自然基金(C013002;BA053007);广西科学研究与技术开发计划资助(桂科攻12118017-13);大学生“挑战杯”和广西大学生创新创业训练计划 |
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| 摘 要： | 采用传统的固相反应法制备了Cu欠量的CaCu3Ti4O12(CaCu2.7Ti4O12)陶瓷,研究了不同烧结时间对CaCu2.7Ti4O12相结构、显微形貌、介电性能和J-E非线性特征的影响。结果表明,延长保温时间降低了CaCu2.7-Ti4O12陶瓷的中低频介电损耗和击穿场强并且显著提高了其介电常数。采用肖特基热电子发射模型对其非线性特征和电学性能的变化机理进行了分析,认为耗尽层宽度是影响电学性能的主要因素。保温30h的CaCu2.7Ti4O12陶瓷有望作为低压压敏电阻应用于半导体电路中。
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| 关 键 词： | CCTO陶瓷 电流-电压非线性 压敏电阻器 巨介电响应 |
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