| β-FeSi2/Si异质结的伏安特性分析 |
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| 作者姓名： | 张立敏 张晋敏 郑旭 熊锡成 唐华杰 金浩 |
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| 作者单位： | 贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（61264004）,贵州省优秀科技人才省长基金项目（黔省专合字[2011]40号）,贵州省国际合作项目（黔科合外G字[2009]700113）,贵州大学引进人才项目（贵大人基合字[2009]002号）,贵州省科技攻关项目（黔科合GY字（2011）3015）,贵州省科技创新人才团队建设专项（黔科合人才团队（2011）4002）,贵州省国际科技合作项目（黔科合外G字[2012]7004） |
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| 摘 要： | 用磁控溅射方法制备β-FeSi2/Si异质结，在分析其伏安特性的基础上探索其是否适合制备红外探测器，XRD、SEM分析表明，该方法能得到纯净、表面平整的β-FeSi2/Si薄膜；在室温下异质结的I—V特性具有很好的整流特性，整流效率约为Idirect／Ireverse～10^2，分流电阻约为38．4kΩ，零偏压下的电流响应率约为26μA／W。推算结果表明，该异质结的红外探测率约为1．479×10^9cm·√Hz/W，适合用于制备红外探测器。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 β-FeSi2 Si异质结 伏安特性 |
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