GaAs/Si异质结界面性质的理论研究

<正> 随着GaAs集成电路和微波、光电器件的发展,GaAs/Si异质结的研究已引起了广泛的重视。这种异质结综合了Si和GaAs两者的优点,因此,有希望开辟新的应用。国外利用MBE和MOCVD方法长出了比较满意的GaAs/Si异质结,最近南京电子器件研究所黄善祥等利用传统的汽相外延方法也生长出了GaAs/Si异质结。 在已报导的GaAs/Si异质结实验结果中,一致的看法是在界面处形成了SiAs化合物,但界面的真实组成及其性质如何,尚没有足够的实验和理论验证。作者利用普适参数紧束缚方法,从理论上对GaAs/Si异质结界面进行了研究,计算了界面的GaSi和SiAs化合物的键能E_b、自然键长d、力常数K以及弛豫效应等,结果列于下表。