| 0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器 |
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| 引用本文： | 严鸣,成立,奚家健,丁玲,杨泽斌.0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器[J].半导体技术,2012,37(2):110-113,121. |
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| 作者姓名： | 严鸣 成立 奚家健 丁玲 杨泽斌 |
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| 作者单位： | 江苏大学电气信息工程学院,江苏镇江,212013;江苏大学电气信息工程学院,江苏镇江,212013;江苏大学电气信息工程学院,江苏镇江,212013;江苏大学电气信息工程学院,江苏镇江,212013;江苏大学电气信息工程学院,江苏镇江,212013 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 设计了一种0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器(LDO),包括BiCMOS误差放大器、带软启动的BiCMOS带隙基准源、"套筒式"共源-共栅补偿电路等。为了改善线性瞬态响应性能,在BiCMOS误差放大器的前级设置了动态电流偏置电路。由于所设计的BiCMOS带隙基准源对温度的敏感性较小,故能为LDO提供高精度的基准电压。对所设计的LDO进行了工艺流片。流片测试结果表明,该LDO可提供60 mA的输出电流且最小压差只有100 mV。测试同时验证了所设计LDO的负载和瞬态响应都得到改善:负载调整率为0.054 mV/mA,线性调整率为0.014%,而芯片面积约为0.094 mm2,因此特别适用于高精度、便携式片上电源系统。
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| 关 键 词： | BiCMOS器件 低压差线性稳压器 带隙基准源 共源-共栅 高精度 |
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