| Ku波段低相噪推-推式VCO单片集成电路 |
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| 引用本文： | 汪江涛.Ku波段低相噪推-推式VCO单片集成电路[J].半导体技术,2012,37(6):433-436. |
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| 作者姓名： | 汪江涛 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 基于InGaP-GaAs HBT工艺设计了一款Ku波段推-推式压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC)。采用改进的虚地反馈法对基本振荡单元的奇偶模进行了分析,用谐波平衡法对相位噪声和输出功率进行了优化设计。用ADS软件完成了原理图和电磁场仿真,用Candence Virtuoso完成了版图设计。此VCO MMIC频率覆盖14.5～15 GHz,在2.2 mm×1.2 mm的面积内集成了变容二极管、谐振电路、负阻产生电路,具有体积小、成本低、相位噪声低等特点。在4.2 V单电源电压下,其静态电流为150 mA,典型输出功率为10 dBm,频偏为100 kHz时的单边带相位噪声为-105 dBc/Hz。
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| 关 键 词： | 推-推式压控搌荡器 奇偶模 微波单片集成电路 相位噪声 S参数 |
Low Phase Noise Ku-Band Push-Push VCO MMIC |
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| Wang Jiangtao.Low Phase Noise Ku-Band Push-Push VCO MMIC[J].Semiconductor Technology,2012,37(6):433-436. |
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| Authors: | Wang Jiangtao |
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| Affiliation: | Wang Jiangtao(The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China) |
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