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用于CdZnTe探测器的高速前端读出电路
引用本文:王巍,张定冬,赵汝法,刘博文,张珊,熊德宇,黎淼. 用于CdZnTe探测器的高速前端读出电路[J]. 微电子学, 2022, 52(3): 376-382
作者姓名:王巍  张定冬  赵汝法  刘博文  张珊  熊德宇  黎淼
作者单位:重庆邮电大学 光电学院/国际半导体学院, 重庆 400065
基金项目:重庆市科技局产业化项目(cstc2018jszx-cyztzx0211,cstc2018jszx-cyztzX0048);重庆市教育委员会科学技术研究计划项目(KJQN201800628)
摘    要:采用0.35 μm CMOS工艺,设计了一种用于CdZnTe探测器的16通道高速前端读出电路。整体电路由16个模拟通道、偏置模块和逻辑控制模块组成,每个通道包括电荷敏感放大器、漏电流补偿电路、成形器、基线保持电路、峰值检测保持电路和时间甄别器。分析了高入射频率下主要电路模块的性能及通道的读出时序。仿真结果表明,本前端读出电路的输入能量范围为29~430 keV@1~15 fC,每个通道功耗小于1.8 mW,等效噪声电荷为87.6e-,最大能补偿的漏电流为50 nA,达峰时间为150 ns,通道增益为50 mV/fC,非线性小于1%,最高注入频率为500 kHz。

关 键 词:前端读出电路   CdZnTe探测器   高速   单光子发射计算机断层成像
收稿时间:2021-07-12

A High Speed Front End Readout Circuit for CdZnTe Detectors
WANG Wei,ZHANG Dingdong,CHIO U-Fat,LIU Bowen,ZHANG Shan,XIONG Deyu,LI Miao. A High Speed Front End Readout Circuit for CdZnTe Detectors[J]. Microelectronics, 2022, 52(3): 376-382
Authors:WANG Wei  ZHANG Dingdong  CHIO U-Fat  LIU Bowen  ZHANG Shan  XIONG Deyu  LI Miao
Affiliation:Optoelec. Engineer. College / Int. Semicond. College, Chongqing Univ. of Posts and Telecomm., Chongqing 400065, P. R. China
Abstract:
Keywords:
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