| GaN基同型异质结IMPATT二极管噪声特性研究 |
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| 引用本文： | 戴扬,党江涛,叶青松,卢昭阳,张为伟,雷晓艺,赵胜雷,赵武. GaN基同型异质结IMPATT二极管噪声特性研究[J]. 微电子学, 2022, 52(3): 459-465 |
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| 作者姓名： | 戴扬 党江涛 叶青松 卢昭阳 张为伟 雷晓艺 赵胜雷 赵武 |
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| 作者单位： | 西北大学 信息科学与技术学院, 西安 710127;上海精密计量测试研究所, 上海 201109;西安电子科技大学 微电子学院, 西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61804125,61701402,62004163) |
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| 摘 要： | 针对p型GaN IMPATT制造工艺仍未成熟,提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN n-n型异质结构来取代常规p-n结构,使GaN IMPATT二极管工作在IMPATT模式下。研究了这种n-n型In0.4Ga0.6N/GaN碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的噪声特性,与同等条件下的传统GaN基p-n结IMPATT二极管作比较。结果表明,在不同偏置电流密度和不同InGaN层厚度下,该器件的噪声特性均好于传统p-n结构。结合器件交流输出特性可以得知,In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结IMPATT器件不仅在功率效率上优于GaN p-n结构,其噪声性能表现亦优于传统GaN p-n结构,特别是在高频段的噪声特性优势更加明显。该研究可以为GaN基IMPATT器件的设计提供更多的思路和参考。
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| 关 键 词： | InGaN/GaN 异质结 IMPATT 均方噪声电压 噪声测度 |
| 收稿时间： | 2021-07-18 |
Study on Noise Performance of a GaN Homo-Heterojunction IMPATT Diode |
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| DAI Yang,DANG Jiangtao,YE Qingsong,LU Zhaoyang,ZHANG Weiwei,LEI Xiaoyi,ZHAO Shenglei,ZHAO Wu. Study on Noise Performance of a GaN Homo-Heterojunction IMPATT Diode[J]. Microelectronics, 2022, 52(3): 459-465 |
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| Authors: | DAI Yang DANG Jiangtao YE Qingsong LU Zhaoyang ZHANG Weiwei LEI Xiaoyi ZHAO Shenglei ZHAO Wu |
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| Affiliation: | School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi''an 710127, P.R.China;Shanghai Precision Metrology and Testing Research Institute, Shanghai 201109, P.R.China;School of Microelectronics, Xidian University, Xi''an 710071, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaN/GaN heterojunction IMPATT mean square noise voltage noise measure |
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