迈向二十一世纪的集成电路技术

九十年代LSI工艺的发展仍然依照摩尔定律(每三年器件尺寸缩小2/3,芯片面积增加1.5倍和芯片中晶体管数目增加4倍)所预言的发展速度急剧增长。这十年来凝聚着科技工作者无穷智慧的成果给全世界的军事、经济和民生等方方面面带来了始料未及的巨大革命性变化。微细加工技术已从0.6微米提高到0.18微米的水平;0.18微米的1G位DRAM已研制成功;256兆位的DRAM已进入大量生产阶段;具有64位速度为1GHz的微处理器已宣告研制成功。硅CMOS IC在未来的十五年仍将是集成电路发展的主流。