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| IGBT在开关应用领域全面挺进 | |
| 引用本文： | 许海东,方汉军.IGBT在开关应用领域全面挺进[J].世界电子元器件,2000(10):28-32. |
| 作者姓名： | 许海东 方汉军 |
| 作者单位： | [1]北京韶光科技有限公司 [2]深圳亚科希资讯有限公司 |
| 摘 要： | 绝缘栅双极晶体管(IGBT),是第一代电力电子器件的代表性产品。经过近20年的发展,目前前市售IGBT系列产品耐压一般为600～1200V,电流容量高达600A,实验室研制水平达1600V/1200A、2800V/100A。由于IGBT既具有MOSFET这类场控型器件高输入阻抗、微功率驱动、开关速度快、安全工作区(SOA)大等特点,同时还具有双极晶体管(BJT)电流密度大、热阻小、饱和压降低诸优点,故在功率开关器件领域的竞争中,占有比较明显的优势。 |
| 关 键 词： | IGBT 有源功率因数 变换器 开关 感应加热系统 |
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