1.55μm掩埋条形InGaAsP/InP激光器 |
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作者姓名: | 王圩 张静媛 田慧良 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所(王圩,张静媛,田慧良),中国科学院半导体研究所(器件工艺组) |
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摘 要: | 用两次液相外延的方法制备了 1.55μm掩埋条型 InGaAsP/InP双异质结激光器.室温下的阈电流低达55mA.在接近3格阈值时,器件的光强-电流特性仍保持良好的线性度.直到1.6倍阈值时仍可得到稳定的单纵模、基横模工作.
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