| Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究 |
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| 引用本文： | 孙国胜,王雷,罗木昌,赵万顺,朱世荣,李晋闽,曾一平,林兰英.Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究[J].固体电子学研究与进展,2003,23(2):135-138. |
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| 作者姓名： | 孙国胜 王雷 罗木昌 赵万顺 朱世荣 李晋闽 曾一平 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项经费 ( G2 0 0 0 0 683)，国家 863高技术研究与发展项目 ( 2 0 0 1AA3110 90 ) |
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| 摘 要： | 在冷壁式不锈钢超高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 (LPCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si(1 0 0 )和 Si(1 1 1 )晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅 (3 C-Si C)外延材料 ,利用反射高能电子衍射 (RHEED)和扫描电镜 (SEM)技术详细研究了 Si衬底的碳化过程、碳化层的表面形貌及缺陷结构 ,获得了界面平整光滑、没有空洞形成的 3 C-Si C外延材料 ,并采用 X-射线衍射 (XRD)、双晶 X-射线衍射 (DXRD)和霍尔(Hall)测试等技术研究了外延材料的结构和电学特性
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| 关 键 词： | 无坑洞立方相碳化硅 低压化学气相淀积 单晶硅衬底 |
| 文章编号： | 1000-3819(2003)02-135-04 |
| 修稿时间： | 2001年9月15日 |
Growth of Voids-free 3C-SiC H eteroepitaxial Layers on Si(100) and Si(111) Substrates by LPCVD |
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| SUN Guosheng,WANG Lei,LUO Muchang,ZHAO Wanshun,ZHU Shirong,LI Jinmin,ZEN Yiping,LIN Lanying.Growth of Voids-free 3C-SiC H eteroepitaxial Layers on Si(100) and Si(111) Substrates by LPCVD[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2003,23(2):135-138. |
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| Authors: | SUN Guosheng WANG Lei LUO Muchang ZHAO Wanshun ZHU Shirong LI Jinmin ZEN Yiping LIN Lanying |
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| Abstract: | Highly oriented voids-free 3C-SiC heteroepitaxial layers have been grown on 2″ Si(100)and Si(111) substrates,respectively,by LPCVD.The initial stage of carbonization and the surface morphology of carbonization layers of Si(100) and Si(111) have been studied using RHEED and SEM.It has been shown that the optimized carbonization temperatures are 1 100 and 1 000 °C for Si(100)and Si(111) surfaces,respectively,which is necessary for the growth of voids-free 3C-SiC on Si substrates.The structures and electrical properties of SiC layers were characterized by XRD,DXRD and Hall measurements.The maximum Hall mobility of 240 cm 2/V·s was obtained at room temperature. |
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| Keywords: | voids-free cubic silicon carbide low-pressure chemical vapor deposition single silicon substrates |
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