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| P型锗中光子牵引效应 | |
| 引用本文： | 王学忠,刘继周,王晓谦,甘子钊.P型锗中光子牵引效应[J].半导体学报,1986,7(6):565-572. |
| 作者姓名： | 王学忠 刘继周 王晓谦 甘子钊 |
| 作者单位： | 北京大学物理系固体物理研究所 (王学忠，刘继周，王晓谦)，北京大学物理系固体物理研究所(甘子钊) |
| 摘 要： | 用选支连续波CO_2激光,在20-300K温度范围,测量了8 ×10~(14)-2 ×10~(15)cm~(-3)载流子浓度,<100>、<110>和<111>晶向的P-Ge中光子牵引的极性反转和各向异性效应.结果表明:80—300K,P-Ge中横向光子牵引电压与温度关系不大,而纵向光子牵引电压随温度变化显著,并发生电压极性的反转,反转温度T_o与杂质浓度、晶向有关,相同杂质浓度下,T_(o100]M) |
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