| 高能磷离子注入硅晶格的损伤初探 |
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| 引用本文： | 吴瑜光 孙贵如. 高能磷离子注入硅晶格的损伤初探[J]. 核技术, 1995, 18(9): 522-526 |
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| 作者姓名： | 吴瑜光 孙贵如 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所，北京有色金属研究总院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,北京大学重离子实验室的资助 |
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| 摘 要： | 对高能磷离子注入硅、低剂量迭加注入硅，高能低能双注入硅中引起的晶格损伤、二次缺陷及退火效应进行了初步探讨。
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| 关 键 词： | 高能 离子注入 晶格损伤 二次缺陷 硅晶体 磷 |
A Study of lattice damage by MeV P ion implantation in Si |
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| Wu Yuguang,Zhang Tonghe. A Study of lattice damage by MeV P ion implantation in Si[J]. Nuclear Techniques, 1995, 18(9): 522-526 |
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| Authors: | Wu Yuguang Zhang Tonghe |
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| Abstract: | A preliminary investigation of lattice damage,secondary defect formation and annealing effects has been carried out for high energy multiple P ion implantation and high and low energy dual implantation in Si. |
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| Keywords: | High energy ion implantation Lattice damage Secondary defects Channeling analysis |
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