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| 用光电化学方法测定n-InP的物理参数 | |
| 引用本文： | 张国栋,王大璞,钱道荪,孙壁媃.用光电化学方法测定n-InP的物理参数[J].太阳能学报,1984(4). |
| 作者姓名： | 张国栋 王大璞 钱道荪 孙壁媃 |
| 作者单位： | 上海交通大学应用化学系 (张国栋，王大璞，钱道荪)，上海交通大学应用化学系(孙壁媃) |
| 摘 要： | 应用光电化学方法,根据Butler-Gartner模型测定了n-InP半导体材料的少子扩散长度、吸收系数、跃迁模式和禁带宽度,并将结果与文献上用物理方法测得的数据进行了比较。 |
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