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| 直接淀积式Ge—Au薄膜应变计的工艺研究 | |
| 作者姓名： | 李昕欣 陈跃 |
| 作者单位： | 沈阳仪器仪表工艺研究所(李昕欣)，沈阳仪器仪表工艺研究所(陈跃) |
| 摘 要： | 直淀式Ge—Au薄膜应变计全部采用平面工艺,应变电阻和内引线全部薄膜化。通过对Ge、Au双源淀积应变电阻工艺的研究,使得灵敏系数K达到25以上,电阻温度系数α低于±2×10~(-4)/℃。同时消除了应变胶的蠕变效应,提高了传感器的精度和可靠性。 |
| 关 键 词： | 应变计 薄膜 工艺 无胶应用 |
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