| AIN-SiC固溶体的制备及介电性能 |
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| 引用本文： | 苏晓磊,李智敏,罗发,朱冬梅,周万城.AIN-SiC固溶体的制备及介电性能[J].材料导报,2008,22(2):129-131. |
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| 作者姓名： | 苏晓磊 李智敏 罗发 朱冬梅 周万城 |
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| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（50572090）资助项目 |
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| 摘 要： | 以碳化硅和铝粉为原料，均匀混合后在不同气氛中于2000℃下保温0．5h制得粉体。用X射线衍射分析（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对其进行表征。同时在8．2～12．4GHz频率范围内测试其介电性能。结果表明：在N2气氛中，当铝的含量较少时，未出现AIN物相，当铝含量超过10at%时，AIN相开始出现，并且AIN的含量随着铝含量的增加而增加。掺杂铝样品与未掺杂铝样品相比，其介电常数实部ε′和介电损耗tanδ皆降低，且随着铝含量的增加而逐步降低，主要是因为AIN具有较低的介电常数实部和损耗。
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| 关 键 词： | AIN—SiC 固溶体 扩散 介电常数 |
Preparation and Dielectric Properties of AIN-SiC Solid Solution |
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| SU Xiaolei, LI Zhimin, LUO Fa, ZHU Dongmei, ZHOU Wancheng.Preparation and Dielectric Properties of AIN-SiC Solid Solution[J].Materials Review,2008,22(2):129-131. |
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| Authors: | SU Xiaolei LI Zhimin LUO Fa ZHU Dongmei ZHOU Wancheng |
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| Keywords: | AIN-SiC solid solution diffusion dielectric constant |
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