| CMOS器件预辐照筛选可行性及方法研究 |
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| 引用本文： | 李爱武,余学峰,任迪远,汪东,匡治兵,牛振红. CMOS器件预辐照筛选可行性及方法研究[J]. 核电子学与探测技术, 2006, 26(4): 470-474 |
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| 作者姓名： | 李爱武 余学峰 任迪远 汪东 匡治兵 牛振红 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;中国科学院研究生院,北京,100049;中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011 |
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| 摘 要： | 预辐照筛选成功的关键取决于预辐照后器件损伤的可恢复性及再次辐照时器件损伤的可重复性.通过对CMOS器件进行大量不同条件下的60Co γ总剂量辐照实验和退火实验,探讨了能使器件预辐照后的损伤得到尽可能大地恢复的辐照、特别是退火条件,并通过反复达4次的CC4007器件"辐照-退火-辐照"试验,研究了CMOS器件退火后再次辐照时电参数变化的可重复性.
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| 关 键 词： | CMOS 预辐照 筛选 退火 |
| 文章编号： | 0258-0934(2006)04-0470-04 |
| 修稿时间： | 2005-03-17 |
Investigation of the feasibility and methods of the CMOS devices' pre-irradiation screening |
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| LI Ai-wu,YU Xue-feng,REN Di-yuan,WANG Dong,KUANG Zhi-bing,NIU Zhen-hong. Investigation of the feasibility and methods of the CMOS devices' pre-irradiation screening[J]. Nuclear Electronics & Detection Technology, 2006, 26(4): 470-474 |
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| Authors: | LI Ai-wu YU Xue-feng REN Di-yuan WANG Dong KUANG Zhi-bing NIU Zhen-hong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS pre-irradiation screening anneal |
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