| SILAR次数对In掺杂CdS量子点敏化太阳电池的影响 |
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| 引用本文： | 周烽,邹小平,周洪全. SILAR次数对In掺杂CdS量子点敏化太阳电池的影响[J]. 电子元件与材料, 2015, 0(2) |
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| 作者姓名： | 周烽 邹小平 周洪全 |
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| 作者单位： | 北京信息科技大学 理学院,北京,100101 |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金重点项目资助 |
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| 摘 要： | 以In掺杂CdS量子点太阳能电池为例,讨论了SILAR次数对In掺杂CdS量子点敏化太阳能电池性能的影响。通过SEM、EDS、IPCE、紫外吸收光谱、J-V曲线、EIS等实验测试结果表明,当In掺杂CdS的摩尔比固定在1:5时,随着SILAR次数的增加,电池的短路电流密度、开路电压和光电转换效率都随着增加,当SILAR次数为6次时,In掺杂CdS的QDSCs光电转化效率达到了最大值(η=0.76%)。随着SILAR次数的继续增加,其光电转换效率将会下降。
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| 关 键 词： | IPCE J-V曲线 SILAR次数 铟掺杂硫化镉 量子点太阳电池 光电转换效率 |
Effect of SILAR cycles on In-doped-CdS quantum dot sensitized solar cell |
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| ZHOU Feng,ZOU Xiaoping,ZHOU Hongquan. Effect of SILAR cycles on In-doped-CdS quantum dot sensitized solar cell[J]. Electronic Components & Materials, 2015, 0(2) |
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| Authors: | ZHOU Feng ZOU Xiaoping ZHOU Hongquan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | IPCE J-V curve SILAR cycles In-doped-CdS quantum dot sensitized solar cell photoelectric conversion efficiency |
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