| GaAs/AlGaAs多量子阱空间光调制器入射角度特性研究 |
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| 引用本文： | 黄寓洋.GaAs/AlGaAs多量子阱空间光调制器入射角度特性研究[J].光电子．激光,2010(5):668-671. |
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| 作者姓名： | 黄寓洋 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;加拿大国家研究理事会微结构研究所; |
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| 基金项目： | 科技部中美国际科技合作计划基金资助项目(2008KR0415); 苏州市中美国际合作基金资助项目(SWH0809) |
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| 摘 要： | 研究了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)空间光调制器(SLM)在不同入射角度下的调制特性。对腔模位置与入射角度的关系进行了理论计算和实验验证,两者具有较好的一致性。当入射角在0°～75°之间变化时,腔模从871nm变化至845nm,可调节范围达26nm。当入射光从垂直入射变化为约45°入射时,SLM对比度从(CR)3.8提高到16.3,调制电压从9.5V下降至6.5V。理论分析和实验结果表明,入射角度调节能够有效提高GaAs/AlGaAs MQW SLM调制性能。
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| 关 键 词： | 空间光调制器(SLM) 多量子阱(MQW) 入射角度 对比度(CR) |
Incident angle dependence of GaAs/AlGaAs multiple quantum well spatial light modulators |
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| HUANG Yu-yang.Incident angle dependence of GaAs/AlGaAs multiple quantum well spatial light modulators[J].Journal of Optoelectronics·laser,2010(5):668-671. |
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| Authors: | HUANG Yu-yang |
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| Affiliation: | HUANG Yu-yang1,2,LIU Hui-chun2,3,Wasilewski Z R3,Buchanan M3,Laframboise S R3,YANG Chen1,CUI Guo-xin2,BIAN Li-feng2,YANG Hui1,ZHANG Yao-hui2(1.Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China,2.Suzhou Institute of Nano-tech , Nano-bionics,Suzhou 215125,3.Institute for Microstructural Sciences,National Research Council,Ottawa K1A0R6,Canada) |
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| Abstract: | The modulation performance of GaAs-AlGaAs multiple quantum well(MQW) spatial light modulators(SLMs) with varying incident angle is analyzed.When the incident angle varies from 0° to 75°.The cavity mode can be changed from 871 nm to 845 nm.The tunable range is 26 nm.Under the 45° incident angle condition,the contrast ratio (CR)increases from 3.8 to 16.3,and the bias voltage decreases from 9.5 V to 6.5 V.Both theoretical and experimental results demonstrate that modifying incident angle is an effe... |
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| Keywords: | spatial light modulator(SLM) multiple quantum well(MQW) incident angle contrast ratio(CR) |
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