| ULSI硅衬底的化学机械抛光 |
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| 作者姓名： | 张楷亮 刘玉岭 王芳 李志国 韩党辉 |
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| 作者单位： | 河北工业大学微电子技术与材料研究所 天津300130
(张楷亮,刘玉岭,李志国),天津理工学院光电信息系 天津300191
(王芳),河北工业大学微电子技术与材料研究所 天津300130(韩党辉) |
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| 基金项目： | 科技部科技型中小企业技术创新项目
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天津市科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 在分析UL SI中硅衬底CMP的动力学过程基础上,提出了在机械研磨去除产物过程中,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程,从而提高抛光效率.在对不同粒径分散度的硅溶胶抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是机械研磨过程的重要因素,而不是单纯受粒径大小的影响.分析和讨论了CMP工艺中的几个影响因素,如粒径大小与分散度、p H值、温度、流量和浓度等.采用含表面活性剂和螯合剂的清洗液进行抛光后清洗,表面颗粒数优于国际SEMI标准,抛光雾得到了有效控制
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| 关 键 词： | 硅衬底 化学机械抛光(CMP) ULSI 纳米研磨料 动力学过程 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)01-0115-05 |
| 修稿时间： | 2003-01-08 |
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