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| 低温硅双极晶体管的研制与特性分析 | |
| 作者姓名： | 郑云光 郭维廉 李树荣 |
| 作者单位： | 天津大学电子系 |
| 摘 要： | 采用多晶硅电极接触三区（发射区、基区、集电区）低掺杂同质结结构，已研制出电流增益在７７ＫｈＦＥ＝２２０—２９７；在６．２ＫｈＦＥ＝１２．３；在１０ＫｈＦＥ＝２１．７，β＝４２的低温双极晶体管．本文还用隧穿机理推导出ｈＦＥ（Ｔ）的新的表示式，很好地解释了这种器件的ｈＦＥ温度特性、Ｇｕｍｍｅｌ特性和ｈＦＥ－Ｉｃ特性． |
| 关 键 词： | 双极晶体管 低温 研制 特性分析 |
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