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| 高阻硅衬底上多孔硅牺牲层工艺的研究 | |
| 引用本文： | 董良,岳瑞峰,刘理天. 高阻硅衬底上多孔硅牺牲层工艺的研究[J]. 仪器仪表学报, 2002, 23(Z2): 769-770 |
| 作者姓名： | 董良 岳瑞峰 刘理天 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
| 摘 要： | 采用离子注入的方法在高电阻率的硅衬底上选择性地形成低阻区,制备了多孔硅牺牲层,研究用"先做微结构后形成多孔硅"的多孔硅牺牲层工艺制作微悬空结构. |
| 关 键 词： | 微机械 多孔硅 牺牲层 |
Study on Using Porous Silicon as Sacrificial Layer in High Resistivity Silicon |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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