|
|||||
|
|
| 有源忆阻器伏安关系与有源忆阻电路频率特性研究 | |
| 引用本文： | 包伯成,邹相,胡文,武花干. 有源忆阻器伏安关系与有源忆阻电路频率特性研究[J]. 电子学报, 2013, 41(3): 593. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.03.029 |
| 作者姓名： | 包伯成 邹相 胡文 武花干 |
| 作者单位： | 1. 常州大学信息科学与工程学院,江苏常州,213164 2. 南京航空航天大学电子信息工程学院,江苏南京,210016 3. 南京理工大学电子工程系,江苏南京,210094 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，江苏省自然科学基金 |
| 摘 要： | 忆阻器是具有记忆特性的非线性电阻器,是物理上新实现的第四种基本二端电路元件.以分段二次型非线性函数描述的有源磁控忆阻器为例,分析了有源忆阻器的伏安关系,研究了有源忆阻器与电容串联电路(简称有源WC电路)的频率响应特性,并与有源RC电路进行了比较分析.结果表明:有源忆阻器的伏安特性曲线为紧磁滞回线,且依赖于其内部初始状态；有源WC电路与有源RC电路均呈现高通特性,但前者为超前网络而后者为滞后网络.基于有源磁控忆阻器的等效电路进行了电路仿真,其结果很好地验证了理论分析结果. |
| 关 键 词： | 有源忆阻器 伏安关系 有源WC电路 频率特性 |
| 收稿时间： | 2012-05-14 |
Voltage-Current Relationship of Active Memristor and Frequency Characteristic of Active Memristive Circuit |
|
| BAO Bo-cheng , ZOU Xiang , HU Wen , WU Hua-gan. Voltage-Current Relationship of Active Memristor and Frequency Characteristic of Active Memristive Circuit[J]. Acta Electronica Sinica, 2013, 41(3): 593. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.03.029 | |
| Authors: | BAO Bo-cheng ZOU Xiang HU Wen WU Hua-gan |
| Abstract: | |
| Keywords: | active memristor voltage-current relationship active WC ciruit frequency characteristic |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《电子学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《电子学报》下载全文 | |