| 高能粒子辐射直拉硅中辐照缺陷的控制 |
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| 引用本文： | 众所周知，硅是半导体工业最重要的基础材料，随着航空、航天事业的发展，要求硅及硅基器件能够在辐射环境下性能可靠稳定，因而对硅抗辐射性能的研究十分重要，多年来我所一直致力于有关方面的工作。直拉硅单晶在辐射环境下性能的变化与其中辐照缺陷的产生及影响密切相关，且辐照缺陷的控制有利于增加硅的辐照稳定性，本文就此进行分析、探讨。. 高能粒子辐射直拉硅中辐照缺陷的控制[J]. 半导体技术, 2000, 25: 39-41 |
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| 作者姓名： | 众所周知，硅是半导体工业最重要的基础材料，随着航空、航天事业的发展，要求硅及硅基器件能够在辐射环境下性能可靠稳定，因而对硅抗辐射性能的研究十分重要，多年来我所一直致力于有关方面的工作。直拉硅单晶在辐射环境下性能的变化与其中辐照缺陷的产生及影响密切相关，且辐照缺陷的控制有利于增加硅的辐照稳定性，本文就此进行分析、探讨。 |
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| 摘 要： |
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| 文章编号： | 1003-353X(2000)1-39-03 |
Control of Radiation Defectin CZ Si Radiatedby High Energy Particles |
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