| SiH_4－O_2体系LPCVD SiO_2薄膜的工艺及其应用 |
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| 引用本文： | 汪师俊,何莲萍,李积和. SiH_4－O_2体系LPCVD SiO_2薄膜的工艺及其应用[J]. 微电子学与计算机, 1995, 0(5) |
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| 作者姓名： | 汪师俊 何莲萍 李积和 |
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| 作者单位： | 上海交通大学，上海硅材料厂 |
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| 基金项目： | 浙江大学硅材料科学国家重点实验室资助 |
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| 摘 要： | 本文研究了ＳｉＨ４—Ｏ２体系ＬＰＣＶＤＳｉＯ２的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜，改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构，获得了每炉１００片、直径为１００ｍｍ的硅片的膜厚不均匀性≤士５％的结果。
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| 关 键 词： | 低压化学气相淀积二氧化硅，膜厚均匀性，硅烷－氧体系 |
Investigation of LPCVD SiO_2 by Using SiH_4O_2 |
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| Wan Shijun, He Lianping. Investigation of LPCVD SiO_2 by Using SiH_4O_2[J]. Microelectronics & Computer, 1995, 0(5) |
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| Authors: | Wan Shijun He Lianping |
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| Affiliation: | Wan Shijun; He Lianping(Shanghai Jiao Tong University)Li Jihe(Shanghai Smeltery No. 2) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LPCVD SiO_2 Uniformity of film thickness SiH_4-O_2 system |
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