| 渗硅碳化硅材料的高温氧化 |
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| 引用本文： | 魏明坤,张丽鹏,武七德. 渗硅碳化硅材料的高温氧化[J]. 硅酸盐通报, 2001, 20(4): 52-55 |
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| 作者姓名： | 魏明坤 张丽鹏 武七德 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学材料学院 |
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| 摘 要： | 研究了全碳粉反应渗硅碳化硅(PCRBSC)材料,在1300℃静态空气中的高温氧化行为.研究结果表明:PCRBSC材料的氧化过程遵循直线-抛物线规律,其结构对高温氧化有很大的影响,特别是游离硅fsi和游离碳fc的含量对氧化影响更大,fsi含量高的PCRBSC材料单位面积氧化增重(Δm/s)明显,fc含量高的PCRBSC材料氧化后表现为先减重后增重,氧化层断口经扫描电镜观察有明显的气孔存在.
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| 关 键 词： | 渗硅碳化硅 游离硅 游离碳 高温氧化, |
High Temperature Oxidation Behavior of Melt-infiltrated Silicon Carbide |
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| Wei Mingkun Zhang Lipeng Wu Qide. High Temperature Oxidation Behavior of Melt-infiltrated Silicon Carbide[J]. Bulletin of the Chinese Ceramic Society, 2001, 20(4): 52-55 |
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| Authors: | Wei Mingkun Zhang Lipeng Wu Qide |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | melt infiltrated silicon carbide free silicon free carbide high temperature oxidation |
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