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多晶硅薄膜残余应力显微拉曼谱实验分析
引用本文:吴昊,孟永钢,苏才钧,郭占社,温诗铸. 多晶硅薄膜残余应力显微拉曼谱实验分析[J]. 机械强度, 2007, 29(2): 233-236
作者姓名:吴昊  孟永钢  苏才钧  郭占社  温诗铸
作者单位:清华大学,摩擦学国家重点实验室,北京,100084;清华大学,摩擦学国家重点实验室,北京,100084;清华大学,摩擦学国家重点实验室,北京,100084;清华大学,摩擦学国家重点实验室,北京,100084;清华大学,摩擦学国家重点实验室,北京,100084
基金项目:国家自然科学基金 , 中国基础研究计划项目 , 清华大学校科研和教改项目
摘    要:利用显微拉曼谱对桥式多晶硅薄膜梁的残余应力进行测量,该多晶硅薄膜采用典型的MEMS(micro-electro-mechanical systems)工艺制造.实验结果表明, 多晶硅薄膜梁的中部存在很大的拉伸残余应力(约1 GPa),且多晶硅薄膜的残余应力沿梁长方向大致呈对称分布,这种内应力分布与制造过程中的ICP(inductively-coupled plasma)工艺密切相关.多晶硅薄膜梁在残余应力作用下的变形情况可以通过WYKO白光形貌仪准确地表征,经过ANSYS计算,薄膜残余应力分布状况与显微拉曼谱法的测量结果吻合.因而,显微拉曼谱法是测量多晶硅薄膜残余应力的一种准确而可靠的方法.

关 键 词:拉曼谱  多晶硅  薄膜  残余应力
修稿时间:2005-11-082005-12-20

EXPERIMENTAL MICRO-RAMAN ANALYSIS OF RESIDUAL STRESS IN POLYSILICON FILMS
WU Hao,MENG YongGang,SU CaiJun,GUO ZhanShe,WEN ShiZhu. EXPERIMENTAL MICRO-RAMAN ANALYSIS OF RESIDUAL STRESS IN POLYSILICON FILMS[J]. Journal of Mechanical Strength, 2007, 29(2): 233-236
Authors:WU Hao  MENG YongGang  SU CaiJun  GUO ZhanShe  WEN ShiZhu
Affiliation:State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, Beijing 100084, China
Abstract:
Keywords:Raman spectrum   Polysificon   Thin film   Residual stress
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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