| 超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路 |
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| 引用本文： | 张利春,高玉芝,金海岩,倪学文,莫邦燹,宁宝俊,罗葵,叶红飞,赵宝瑛,张广勤.超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路[J].半导体学报,2001,22(3):345-349. |
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| 作者姓名： | 张利春 高玉芝 金海岩 倪学文 莫邦燹 宁宝俊 罗葵 叶红飞 赵宝瑛 张广勤 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所!北京100871，北京大学微电子学研究所!北京100871，北京大学微电子学研究所!北京100871，北京大学微电子学研究所!北京100871，北京大学微电子学研究所!北京100871，北京大学微电子学研究所!北京100871，北京大学微电子学研究所!北京100871，北京大学微电子学 |
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| 摘 要： | 报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究 .这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进 ,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的 L型侧墙形成技术方面 ,它有效地减小了器件的基区面积 .测试结果表明 ,晶体管有良好的交直流特性 .在发射区面积为 3μm× 8μm时 ,晶体管的截止频率为 6 .1GHz.19级环振平均门延迟小于 40 ps,硅微波静态二分频器的工作频率为 3.2 GHz
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| 关 键 词： | 双层多晶硅 复合介质L型侧墙 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）03-0345-05 |
| 修稿时间： | 1999年12月25日 |
Very High Speed Poly-Si Emitter Bipolar Transistor and Circuit |
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| ZHANG Li chun,GAO Yu zhi,JIN Hai yan,NI Xue wen,MO Bang xian,NING Bao jun,LUO Kui,YE Hong fei,ZHAO Bao ying and ZHANG Guang qin.Very High Speed Poly-Si Emitter Bipolar Transistor and Circuit[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(3):345-349. |
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| Authors: | ZHANG Li chun GAO Yu zhi JIN Hai yan NI Xue wen MO Bang xian NING Bao jun LUO Kui YE Hong fei ZHAO Bao ying and ZHANG Guang qin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | double layer polysilicon multiple dielectric layer L shaped sidewall |
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