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| 适用于VLSI CAD的非均匀掺杂小尺寸MOSFET阈值电压模型 | |
| 引用本文： | 王建伟,阮刚.适用于VLSI CAD的非均匀掺杂小尺寸MOSFET阈值电压模型[J].半导体学报,1987,8(6):585-596. |
| 作者姓名： | 王建伟 阮刚 |
| 作者单位： | 复旦大学微电子学研究所 (王建伟)，复旦大学微电子学研究所(阮刚) |
| 摘 要： | 本文讨论了目前使用的MOSFET阈值电压模型的局限性,尝试了用分段近似法求解非均匀掺杂MOSFET的阈值电压,在此基础上提出了一个新的模型公式.它能反映非均匀掺杂MOSFET 阈值电压衬偏特性;不仅适用于浅注入,而且适用于深注入情况;不仅适用于长沟道,而且适用于小尺寸器件.此模型的计算结果同数值分析器MINIMOS的有关计算值相比,符合得很好.该模型公式特别适用于 VLSI CAD. |
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