| 长周期掺杂超晶格GaAs/AlxGa1-xAs红外吸收的研究 |
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| 引用本文： | 杨晓峰,许丽萍,温廷敦.长周期掺杂超晶格GaAs/AlxGa1-xAs红外吸收的研究[J].中北大学学报,2000,21(3):198-201. |
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| 作者姓名： | 杨晓峰 许丽萍 温廷敦 |
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| 作者单位： | 华北工学院,理学系,山西,太原,030051 |
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| 摘 要： | 目的研究长周期掺杂超晶格GaAs/AlxGa1-xAs红外吸收的特性,尤其在10.6 μm 处的红外吸收.方法在有效质量的基础上,计算GaAs/AlxGa1-xAs系列超晶格材料能带及带间光吸收谱.结果发现当GaAs/Al0.3Ga0.7As的周期层厚为 18 nm,GaAs 层厚为3 nm 时,在10.6 μm 处有一强的红外吸收峰.结论这类材料可被作为特定波段的红外吸波材料.
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| 关 键 词： | 能带 有效质量 红外吸收 |
| 修稿时间： | 2000-05-31 |
Infrared Absorption of Long Period Doping Superlattice-GaAs/AlxGa1-xAs |
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| YANG Xiao-feng,XU Li-ping,WEN Ting-dun.Infrared Absorption of Long Period Doping Superlattice-GaAs/AlxGa1-xAs[J].Journal of North University of China,2000,21(3):198-201. |
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| Authors: | YANG Xiao-feng XU Li-ping WEN Ting-dun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | energy bands effective mass infrared absorption |
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