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半导体含硅废水形成动态膜的影响因素研究
引用本文:张扬,闫晗,柳丽芬,杨凤林,高岗大造,徐林虓.半导体含硅废水形成动态膜的影响因素研究[J].中国给水排水,2013,29(5):90-93.
作者姓名:张扬  闫晗  柳丽芬  杨凤林  高岗大造  徐林虓
作者单位:1. 三洋电机<中国>有限公司大连分公司,辽宁大连,116023
2. 大连理工大学环境与生命学院工业生态与环境工程教育部重点实验室,辽宁大连,116023
摘    要:采用半导体含硅废水为成膜液,以平板微滤膜为基膜形成动态膜,考察了含硅废水浓度、曝气量、过滤速度和基膜对动态膜形成的影响。结果表明:高浓度含硅废水形成动态膜所需时间短,仅需50 min。曝气量大则不易形成动态膜,膜孔堵塞严重;曝气量小易形成动态膜,但动态膜不牢固,易脱落;曝气量适当时所形成的动态膜较薄,过滤阻力小,跨膜压力上升缓慢,最佳曝气量为10 L/min。过滤速度较高时易造成硅颗粒堵塞基膜膜孔,跨膜压力上升较快,最高滤速取0.6m/d。此外,在进水硅颗粒粒径分布一定的条件下,采用Japan-0.1和LK-10基膜可形成过滤性能好的动态膜,且动态膜有利于防止基膜膜孔阻塞,对基膜具有很好的保护作用,但PEIER基膜形成动态膜的过滤性能很差,不宜用作回收硅颗粒的动态膜的基膜。

关 键 词:半导体含硅废水  平板膜  微滤  动态膜

Factors Influencing Dynamic Membrane Formation Using Silicon-containing Semiconductor Wastewater
ZHANG Yang , YAN Han , LIU Li-fen , YANG Feng-lin , GAOGANG Da-zao , XU Lin-xiao.Factors Influencing Dynamic Membrane Formation Using Silicon-containing Semiconductor Wastewater[J].China Water & Wastewater,2013,29(5):90-93.
Authors:ZHANG Yang  YAN Han  LIU Li-fen  YANG Feng-lin  GAOGANG Da-zao  XU Lin-xiao
Affiliation:1(1.Dalian Branch,SANYO Electric Co.Ltd.,Dalian 116023,China;2.Key Laboratory of Industrial Ecology and Environmental Engineering , School of Environmental and Biological Science and Technology,Dalian University of Technology,Dalian 116023,China)
Abstract:
Keywords:
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