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| MBE的新方法—迁移增强外延技术 | |
| 作者姓名： | 吴光恒 |
| 摘 要： | 在较低的温度下进行外延生长,这对提高外延层的掺杂梯度,防止层间互扩散和单片集成片子上的横向扩散都是很有利的。生长高质量的外延片,要保证吸附原子在生长表面上的快速迁移。但是,在一般分子束外延(MBE)技术中,Ga和Al在As稳定的表面上迁移得非常慢,因而MBE生长的高质量 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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