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| Cu-Zr、Cu-Zr-Si高导电合金的时效析出和导电性 | |
| 作者姓名： | 董志力 唐祥云 关谷笃 藤谷涉 堀茂德 |
| 作者单位： | 清华大学，清华大学，大阪大学，大阪大学，大阪大学 |
| 摘 要： | 本文研究了 Cu-Zr、Cu-Zr-Si 高导电合金的时效析出组织和伴随析出产生的硬度、电导率的变化。随着时效温度的提高,电导率在600℃左右出现峰值,此时 Cu-Zr-Si 三元合金比Cu-zr 二元合金的 Hv 高出5～15左右。添加少量 Si 能抑制析出物粗化、细化晶粒,并推迟合金的软化速率. |
| 关 键 词： | 高导电合金 时效析出 |
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