| CMOS集成电路的ESD模型和测试方法探讨 |
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| 引用本文： | 徐骏华,向宏莉,令文生.CMOS集成电路的ESD模型和测试方法探讨[J].现代电子技术,2004,27(9):70-73. |
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| 作者姓名： | 徐骏华 向宏莉 令文生 |
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| 作者单位： | 西安微电子技术研究所,陕西,西安,710054 |
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| 摘 要： | 随着超大规模集成电路工艺的高速发展，特征尺寸越来越小，而静电放电(Electrostatic Discharge)对器件可靠性的危害变得越来越显著。因此．静电放电测试已经成为对器件可靠性评估的一个重要项目。介绍了ESD的4种等效模型：人体、机器、器件充电和场感应模型，以及各模型的特点和等效测试电路。同时较详细的介绍了ESD的测试方式和方法。
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| 关 键 词： | 静电放电 ESD模型 电流 CMOS |
| 文章编号： | 1004-373X(2004)09-070-04 |
| 修稿时间： | 2003年12月19 |
Study of ESD Model and Test Method in CMOS IC |
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| XU Junhua,XIANG Hongli,LING Wensheng.Study of ESD Model and Test Method in CMOS IC[J].Modern Electronic Technique,2004,27(9):70-73. |
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| Authors: | XU Junhua XIANG Hongli LING Wensheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electrostatic discharge ESD model current CMOS |
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