| 锇掺杂单层SnS2对SOF2和SO2F2吸附特性 |
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| 引用本文： | 桂银刚,陈盈,唐超,陈显平.锇掺杂单层SnS2对SOF2和SO2F2吸附特性[J].电工技术学报,2022(15):3923-3931. |
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| 作者姓名： | 桂银刚 陈盈 唐超 陈显平 |
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| 作者单位： | 1. 西南大学工程技术学院;2. 重庆大学光电工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（51907165）；;中央高校基本科研业务费专项资金（XDJK2020B024）资助项目； |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算，研究了SOF2和SO2F2两种SF6分解气体在SnS2及Osn(n=1～2)掺杂改性的SnS2材料表面的气敏响应。从吸附能、能带结构、态密度、前线轨道等方面，对比分析三种材料分别对SOF2及SO2F2的气敏响应机理。研究发现，本征SnS2对SOF2及SO2F2的气敏响应特性不佳，但在Os掺杂后，掺杂处成为材料表面的活性位点，有效地提高了两种气体在SnS2表面的气敏响应特性：Osn-SnS2(n=1～2)对SOF2表现出良好的吸附效果，其中Os2-SnS2对SO2F2也...
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| 关 键 词： | 密度泛函理论 SF6分解气体 Osn-SnS2 吸附特性 |
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