| 用于激射波长可控的CaAs／AlGaAs量子阱激光二极管的大面积均匀OMVPE生长 |
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| 摘 要： | 在垂直旋转圆形ＯＭＶＰＥ外延炉里压力减小到０．２ａｔｍ下生长的ＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓ的特性非常均匀。衬底旋转５００ｒ／ｍｉｎ，厚外延层均匀性是±１％。而３～１０ｎｍ厚的量子阱，其厚度的均匀性是±２％。铝组分的变化系数是１．８×１０－３或者更小。对于含有单量子阱有源层的宽面积ＧＲＩＮ－ＳＣＨ二极管激光器，其阈值电流密度和微分量子效率非常均匀。激光器的激射波长可以通过调整有源层厚度和组分精确控制。１７５个器件分布在１６ｃｍ２的片子上，片子包含一个１０ｎｍ厚的Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ａｓ有源层，激射波长，总的变化为３．０ｎｍ。从９个其它外延片上取出的所有供试验的管子，其波长范围是从８０３．５到８０７．４ｎｍ。
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Large-Area-Uniform OMVPE Growth for GaAs/AgaAs Quantum-Well Diode Lasers with Controlled Emission Wavelength |
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