| 分子束外延生长ZnO薄膜的XAFS研究 |
| |
| 引用本文： | 吴志浩,周映雪,韦世强,陈栋梁,俞根才,张新夷.分子束外延生长ZnO薄膜的XAFS研究[J].核技术,2004,27(7):494-496. |
| |
| 作者姓名： | 吴志浩 周映雪 韦世强 陈栋梁 俞根才 张新夷 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学物理系,应用表面物理国家重点实验室,上海,200433;复旦大学同步辐射研究中心,上海,200433;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;复旦大学物理系,应用表面物理国家重点实验室,上海,200433 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究专项973项目(2001-cb309505)资助 |
| |
| 摘 要： | 利用同步辐射广延X射线吸收精细结构(EXAFS)，研究在不同条件下分子束外延制备的ZnO薄膜，如分别在蓝宝石(0001)、Si(100)衬底上，生长温度为200℃或300℃下得到样品的局域结构。发现这些ZnO薄膜的EXAFS函数(k^2x(k))谱形状相似，说明各个样品都具有较为相近的基本局域结构。对生长温度为200℃的ZnO／Al2O3(0001)和ZnO／Si(100)样品，其Zn-O第一配位峰的无序度仃。分别为0．0054A^2和0．0080A^2,当生长温度从200℃提高到300℃时，ZnO／Al2O3(0001)样品的Zn-O第一配位峰的无序度仃。降为0．0039A^2。结果表明衬底与ZnO的晶格失配度和生长温度对ZnO薄膜的配位数、Zn-O键长影响不大，但较小的晶格失配度和较高的生长温度下得到的ZnO薄膜局域有序性较高；且样品的局域结构越有序，相应的配位峰幅度也越高。
|
| 关 键 词： | 分子束外延 ZnO X射线吸收精细结构 |
XAFS study on ZnO films grown by molecular beam epitaxy |
| |
| WUZhihao ZHOU Yinxue WEI Shiqiang CHEN Dongliang YU Gencai ZHANG Xinyi.XAFS study on ZnO films grown by molecular beam epitaxy[J].Nuclear Techniques,2004,27(7):494-496. |
| |
| Authors: | WUZhihao ZHOU Yinxue WEI Shiqiang CHEN Dongliang YU Gencai ZHANG Xinyi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ZnO MBE XAFS |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
