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| 高压大功率VDMOSFET终端技术的研究 | |
| 作者姓名： | 陈岩 |
| 摘 要： | 对实现ＶＤＭＯＳＦＥＴ高耐压水平的场限环结合场板的结终端技术进行了研究。分析了表面电荷密度对耐压水平和优化环间距的影响。计算结果与文献中的数值模拟结果相符合。 |
| 关 键 词： | 场限环 电力电子器件 VDMOSFET 耐压水平 终端 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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