光纤通倍系统用的 GaAs—GaAIAs 高亮度发光二极管的功率和调制带宽 |
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引用本文: | TIENPEI Lee,ANDREW G.DENTAI,刘维芳.光纤通倍系统用的 GaAs—GaAIAs 高亮度发光二极管的功率和调制带宽[J].半导体光电,1979(2). |
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作者姓名: | TIENPEI Lee ANDREW G.DENTAI 刘维芳 |
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摘 要: | 在本文中,我们介绍用于光纤通信系统的 GaAs—AlGaAs 双异质结高亮度发光二极管的一种分析模型。该模型考虑到了所有主要器件和材料参数,例如自吸收,异质界面复合,掺杂浓度,有源层宽度,注入载流子密度和载流子限制。这些参数对 LED 输出功率和调制带宽的影响的理论分析同实验结果一道给出。实验结果与分析模型非常一致。50μm 发光二极管(偏置到接近饱和)在空气中发射的最高输出功率为15mw,具有200W/cm~2·球面度的辐射强度(比曾报导过的任何表面型 LED 都高)。在输出为2mw 时,调制带宽为17MH_Z;获得的最大带宽为170MH_Z。
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