| LNO薄膜电极的制备及其特性研究 |
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| 引用本文： | 康晓旭,林殷茵,汤庭鳌,钟宇,黄维宁,姜国宝,王晓光. LNO薄膜电极的制备及其特性研究[J]. 功能材料, 2003, 34(3): 317-319 |
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| 作者姓名： | 康晓旭 林殷茵 汤庭鳌 钟宇 黄维宁 姜国宝 王晓光 |
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| 作者单位： | 复旦大学微电子学系,Asic和系统国家重点实验室,上海,200433 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69876008)，应用材料AM基金资助项目，国家科技预研资助项目(J8.3.3.JW0703)，博士点基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用水基化学溶液涂布(water basedcoating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜。系统研究了退火温度、退火时间、厚度等工艺条件对LNO薄膜电学特性和结构的影响,并进一步分析了产生这些现象的原因。制备的LNO薄膜电阻率为1.77×10-3Ω·cm,且具有良好的形貌。以LNO为独立下电极,制备出了Au(Cr)/PZT/LNO/SiO2结构的铁电电容,通过其电滞回线和漏电特性的测试,可见制备的LNO薄膜可以很好地满足作为铁电电容电极的需要。
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| 关 键 词： | LNO薄膜 制备 铁电体 铁电存储器 氧化物电极 铁电电容 |
| 文章编号： | 1001-9731(2003)03-0317-03 |
| 修稿时间： | 2002-07-01 |
Preparation and property of metallic LaNiO3 thin film electrode |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LNO oxide electrodes ferroelectrics |
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