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| 热蒸发法制备SnS薄膜及其表征 | |
| 引用本文： | 程树英,钟南保,黄赐昌,陈国南. 热蒸发法制备SnS薄膜及其表征[J]. 真空科学与技术学报, 2005, 25(4): 290-292,296 |
| 作者姓名： | 程树英 钟南保 黄赐昌 陈国南 |
| 作者单位： | 1. 福州大学电子科学与应用物理系,福州,350002;福州大学化学系,福州,350002 2. 福州大学电子科学与应用物理系,福州,350002 3. 福州大学化学系,福州,350002 |
| 基金项目： | 福建省教育厅科研项目，福州大学校科研和教改项目，福州大学校科研和教改项目 |
| 摘 要： | 用热蒸发技术在ITO玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对该薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜;相对于恒电流电沉积法制备的SnS薄膜来说,该薄膜颗粒更细,粒径在(60～100) nm,并且它的均匀性和对基片的附着力也更好.通过测量薄膜样品的反射和透射光谱,得到其直接禁带宽度Eg=1.34 eV,在基本吸收边附近的吸收系数大于2×104 cm-1.该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-2 Ω·cm.因此,用热蒸发技术制备出的SnS薄膜的质量和性能都比较理想,该薄膜非常适合做太阳能电池的吸收层. |
| 关 键 词： | SnS薄膜 光电性能 热蒸发法 |
| 文章编号： | 1672-7126（2005）04-0290-03 |
| 收稿时间： | 2004-12-28 |
| 修稿时间： | 2004-12-28 |
Characterization of SnS Films Prepared by Thermal Evaporation |
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| Cheng Shuying,Zhong Nanbao,Huang Cichang,Chen Guonan. Characterization of SnS Films Prepared by Thermal Evaporation[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2005, 25(4): 290-292,296 | |
| Authors: | Cheng Shuying Zhong Nanbao Huang Cichang Chen Guonan |
| Abstract: | |
| Keywords: | SnS film Electrical and optical properties Thermal evaporation |
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