| Φ105 mm区熔硅单晶的生长工艺研究 |
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| 引用本文： | 郭立洲.Φ105 mm区熔硅单晶的生长工艺研究[J].稀有金属,2002,26(6):513-516. |
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| 作者姓名： | 郭立洲 |
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| 作者单位： | 河南新乡华丹电子有限责任公司,河南,新乡,453002 |
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| 摘 要： | 介绍了FZ硅单晶的熔区悬浮原理 ,说明了生产Φ10 5mmFZ硅单晶所用多晶原材料的技术标准 ,通过对不同形式的加热线圈进行分析 ,指出了较理想的加热线圈 ,讨论了反射器和改进后的晶体夹持装置的具体应用。对Φ10 5mmFZ硅单晶的关键生长工艺进行了描述
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| 关 键 词： | FZ硅单晶 加热线圈 夹持装置 生长工艺 |
| 文章编号： | 0258-7076(2002)06-0513-04 |
| 修稿时间： | 2002年4月1日 |
Φ105 mm FZ-Si Monocrystal Growth Process |
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| Guo Lizhou.Φ105 mm FZ-Si Monocrystal Growth Process[J].Chinese Journal of Rare Metals,2002,26(6):513-516. |
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| Authors: | Guo Lizhou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | FZ silicon monocrystal heating coil supporter growth process |
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