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强流金属离子注入
引用本文:张涛,宋教花,张荟星,张孝吉,汤宝寅,朱剑,Monteiro O R,Brown I G. 强流金属离子注入[J]. 微细加工技术, 2001, 1(1): 22-25
作者姓名:张涛  宋教花  张荟星  张孝吉  汤宝寅  朱剑  Monteiro O R  Brown I G
作者单位:1. 北京师范大学
2. 香港城市大学物理材料系,
3. 美国加州大学伯克利国家试验室
基金项目:863计划项目(863-715-008-0040)
摘    要:金属等离子体浸没注入(MEPIII)技术与金属蒸气真空弧(MEVVA)源注入技术有相同之处,也有各自不同的特点。采用两种方法进行钛离子注入硅,RBS方法分析注入层,并对两种注入技术予以比较。

关 键 词:金属离子注入 MEVVA MEPIII 金属蒸气真空弧
文章编号:1003-8213(2001)01-0022-04
修稿时间:2000-06-19

High Flux Metal IonImplantation
ZHANG Tao,SONG Jiao?hua,ZHANG HuI?xing,ZHANG Xiao?ji,TANG Bao?yin,ZHU Jian?hao,Monteiro O R,Brown I B. High Flux Metal IonImplantation[J]. Microfabrication Technology, 2001, 1(1): 22-25
Authors:ZHANG Tao  SONG Jiao?hua  ZHANG HuI?xing  ZHANG Xiao?ji  TANG Bao?yin  ZHU Jian?hao  Monteiro O R  Brown I B
Affiliation:ZHANG Tao1,SONG Jiao?hua1,ZHANG HuI?xing1,ZHANG Xiao?ji1,TANG Bao?yin2,ZHU Jian?hao2,Monteiro O R3,Brown I B3
Abstract:MEVVA ion implantation is similar to metal plasma immersion ion implantation.The Ti ion implantation into silicon substrat was conducted with the two ion implantation configurations.The RBS was used to analyze the implanted layers and two techniques were compared.
Keywords:metal ion implantation  MEVVA  MEPIII
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