| 亚100纳米级标准单元的可制造性设计 |
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| 引用本文： | 张培勇,严晓浪,史峥,高根生,马玥,陈晔.亚100纳米级标准单元的可制造性设计[J].电子学报,2005,33(2):304-307. |
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| 作者姓名： | 张培勇 严晓浪 史峥 高根生 马玥 陈晔 |
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| 作者单位： | 浙江大学超大规模集成电路设计研究所,浙江杭州,310027;浙江大学超大规模集成电路设计研究所,浙江杭州,310027;浙江大学超大规模集成电路设计研究所,浙江杭州,310027;浙江大学超大规模集成电路设计研究所,浙江杭州,310027;浙江大学超大规模集成电路设计研究所,浙江杭州,310027;浙江大学超大规模集成电路设计研究所,浙江杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 本文介绍了亚100纳米工艺可制造性验证的一组工艺仿真和错误定位技术,制定了标准单元可制造性设计(DFM,Design For Manufacturability)的流程,重点讨论了在亚100纳米工艺条件下标准单元设计中遇到的一些典型可制造性问题,提出了相应的新设计规则和解决方案.依靠以上DFM技术方法,完成了实际90nm工艺标准单元可制造性设计工作.
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| 关 键 词： | 标准单元 可制造性设计 分辨率增强技术 |
| 文章编号： | 0372-2112(2005)02-0304-04 |
| 收稿时间： | 2004-03-08 |
Design for Manufacturability of Sub-100 Nanometer Standard Cells |
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| ZHANG Pei-yong,YAN Xiao-lang,SHI Zheng,GAO Gen-sheng,MA Yue,CHEN Ye.Design for Manufacturability of Sub-100 Nanometer Standard Cells[J].Acta Electronica Sinica,2005,33(2):304-307. |
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| Authors: | ZHANG Pei-yong YAN Xiao-lang SHI Zheng GAO Gen-sheng MA Yue CHEN Ye |
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| Affiliation: | Institute of VLSI Design,Zhejiang University,Hangzhou,Zhejiang 310027,China |
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| Abstract: | A group of technologies for sub 100nm process modeling and DFM (Design For Manufacturability) problem are presented.A DFM flow for standard cell design is implemented,with typical DFM patterns being discussed in detail.New design rules and solution styles are introduced as well.Based on the DFM flow and design styles,a set of DFM friendly 90nm standard cells are designed. |
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| Keywords: | standard cell design for manufacturability resolution enhancement technologies |
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