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| SOZ膜结晶质量的研究 | |
| 引用本文： | 陈庆贵,高培德.SOZ膜结晶质量的研究[J].半导体技术,1992(5):35-37,56. |
| 作者姓名： | 陈庆贵 高培德 |
| 作者单位： | 中国科学院传感技术联合开放国家实验室上海冶金研究所，中国科学院传感技术联合开放国家实验室上海冶金研究所，中国科学院传感技术联合开放国家实验室上海冶金研究所，中国科学院传感技术联合开放国家实验室上海冶金研究所，中国科学院传感技术联合开放国家实验室上海冶金研究所，中国科学院传感技术联合开放国家实验室上海冶金研究所，中国科学院传感技术联合开放国家实验室上海冶金研究所 上海 200050，上海 200050，上海 200050，上海 200050，上海 200050，上海 200050，上海 200050 |
| 摘 要： | 研究了预处理工艺对SOZ膜结晶质量的影响。用SEM、AES,SIMS及TEM技术分析其原因。结果表明,预处理工艺以1200～1250℃、60～120分为好。 |
| 关 键 词： | SOZ膜 结晶 质量 |
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