| SiGe HBT发射极延迟时间模型 |
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| 引用本文： | 胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,朱永刚,王顺祥,王伟,崔晓英,王青,王喜媛.SiGe HBT发射极延迟时间模型[J].半导体学报,2005,26(7):1384-1389. |
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| 作者姓名： | 胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 朱永刚 王顺祥 王伟 崔晓英 王青 王喜媛 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
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| 摘 要： | 在对SiGe HBT（异质结双极晶体管）载流子输运的研究基础上，建立了包括基区扩展效应SiGe HBT发射极延迟时间τe模型．发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关．在正偏情况下，通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用，此时需要考虑可动载流子的影响．本文重点分析了电流密度及发射结面积等参数对SiGe HBT发射极延迟时间的影响．
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| 关 键 词： | SiGe HBT 势垒电容 发射极延迟时间 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)07-1384-06 |
| 修稿时间： | 2004年9月27日 |
An Emitter Delay Time Model of an SiGe HBT |
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| Hu Huiyong,Zhang Heming,Dai Xianying,Zhu Yonggang,Wang Shunxiang,Wang Wei,Cui Xiaoying,Wang Qing,Wang Xiyuan.An Emitter Delay Time Model of an SiGe HBT[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(7):1384-1389. |
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| Authors: | Hu Huiyong Zhang Heming Dai Xianying Zhu Yonggang Wang Shunxiang Wang Wei Cui Xiaoying Wang Qing Wang Xiyuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe HBT barrier capacitance emitter delay time |
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