| Si-栅MOSFET抗总剂量加固技术 |
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| 引用本文： | 胡永贵,谭开州,张家斌,张正,肖鹏,夏培邦.Si-栅MOSFET抗总剂量加固技术[J].微电子学,1999,29(6):441-444. |
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| 作者姓名： | 胡永贵 谭开州 张家斌 张正 肖鹏 夏培邦 |
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| 作者单位： | 1. 信息产业部电子第二十四研究所,重庆400060
2. 模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060 |
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| 摘 要： | ＭＯＳＦＥＴ总剂量加固强烈依赖于工艺技术，对干氧方式下不同条件制备的ＮＭＯＳ，ＰＭＯＳ管，分析其辐照响应，并借用亚阈值Ｉ－Ｖ技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献，得出较佳的干氧抗总剂量加固工艺条件。
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| 关 键 词： | MOSFET 总剂量辐照 Si－栅 加固 |
| 修稿时间： | 1999-05-28 |
Total Dose Radiation Hardening of Si-Gate MOSFET's |
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| HU Yong-gui,TAN Kai-zhou,ZHANG Jia-bin,ZHANG Zheng-fan,XIAO Peng,XIA Pei-bang.Total Dose Radiation Hardening of Si-Gate MOSFET's[J].Microelectronics,1999,29(6):441-444. |
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| Authors: | HU Yong-gui TAN Kai-zhou ZHANG Jia-bin ZHANG Zheng-fan XIAO Peng XIA Pei-bang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOSFET Total dose radiation Radiation hardening |
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