Vishay Siliconix推出新型500V N沟道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET——SiHP12N50C—E3、SiHF12N50C～E3和SiHB12N50C—E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC，采用TO-220、TO-220FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。