| 晶界层介电陶瓷及其单层电容器 |
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| 引用本文： | 杨俊锋,冯毅龙,赵海飞,程超.晶界层介电陶瓷及其单层电容器[J].材料研究与应用,2008,2(3):207-210. |
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| 作者姓名： | 杨俊锋 冯毅龙 赵海飞 程超 |
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| 作者单位： | 广州翔字微电子有限公司,广东,广州,510288 |
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| 基金项目： | 科技部科技型中小企业技术创新项目 |
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| 摘 要： | 研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能的关系.通过等效电路分析,XRD,SEM显微结构观察,探讨了晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,制成了介电系数可调(10000～50000),电容量变化率低(±4.7%～±22%),使用温域宽(-55～ 125℃)的单层片式晶界层电容器.
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| 关 键 词： | 晶界层 单层电容器 |
Grain boundary dielectric ceramics and the single layer chip capacitors |
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| YANG Jun-feng,FENG Yi-long,ZHAO Hai-fei,CHENG Chao.Grain boundary dielectric ceramics and the single layer chip capacitors[J].Journal of Guangdong Non-Ferrous Metals,2008,2(3):207-210. |
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| Authors: | YANG Jun-feng FENG Yi-long ZHAO Hai-fei CHENG Chao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SrTiO3 |
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