首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

低相位噪声压控振荡器设计
引用本文:贺勇,曾健平,文华峰,谢海情.低相位噪声压控振荡器设计[J].半导体技术,2007,32(11):992-994.
作者姓名:贺勇  曾健平  文华峰  谢海情
作者单位:长沙理工大学,电气与信息工程学院,长沙,410076;湖南大学,物理与微电子科学学院,长沙,410082
摘    要:分析了LC压控振荡器(VCO)相位噪声,通过改进电路结构,采用PMOS和NMOS管做负阻管,在尾电流源处加入电感电容滤波,优化电感设计,设计了一种高性能压控振荡器.采用TSMC 0.18 μm IP6M CMOS RF工艺,利用Cadence中的Spectre RF工具对电路进行仿真.在电路的偏置电流为6 mA、电源电压VDD=1.8 V时,输入控制电压为0.8~1.8 V,输出频率变化为1.29~1.51 GHz,调谐范围为12.9%,相位噪声为-134.4 dBc/Hz@1MHz,功耗仅为10.8 mW.

关 键 词:压控振荡器  相位噪声  电感电容滤波  互补MOS
文章编号:1003-353X(2007)11-0992-03
修稿时间:2007-05-31

Design of a Low-Phase-Noise VCO
HE Yong,ZENG Jian-ping,WEN Hua-feng,XIE Hai-qing.Design of a Low-Phase-Noise VCO[J].Semiconductor Technology,2007,32(11):992-994.
Authors:HE Yong  ZENG Jian-ping  WEN Hua-feng  XIE Hai-qing
Abstract:
Keywords:VCO  phase noise  LC filter  CMOS
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号